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論文

JAERI heavy ion microbeam system and single ion hit technique

神谷 富裕; 湯藤 秀典*; 田中 隆一

Proc. of the lst Meeting on the Ion Engineering Society of Japan, p.105 - 110, 1992/00

原研高崎の3MVタンデム加速器のビームラインに設置された重イオンマイクロビーム装置において0.85$$times$$1.2$$mu$$m$$^{2}$$のビームスポットサイズが達成された。本装置は、2連四重極レンズを用いて重イオンビームを集束し、ターゲットの任意の微視的領域にマイクロビームを照準できるように設計されている。さらに、宇宙船において使用される半導体デバイスのシングルイベント効果の基礎的な機構を解明するために、目的の位置にイオンを1つ1つヒットさせるシングルイオンヒットシステムが組込まれる。

論文

JAERI heavy ion microbeam system and single ion hit technique

神谷 富裕; 湯藤 秀典*; 田中 隆一

Proceedings of the International Workshop on Radiation Effects of Semiconductor Devices for Space Application, p.112 - 117, 1992/00

宇宙空間で使用される半導体素子のシングルイベント効果の基礎的な機構を解明するために、原研3MVタンデム加速器のビームライン上に重イオンマイクロビーム装置が設置された。本装置は、2連四重極レンズを用いてNi$$^{4+}$$15MeVのような高エネルギー重イオンを集束し、スキャナーによって高精度に位置制御されたターゲットステージにセットされた試料にマイクロビームをスキャンするように設計されている。これによって我々は1$$mu$$m以下のビームスポットサイズと、試料におけるビームのヒット位置精度を1$$mu$$m以下にすることを目指している。さらに、イオンを1個1個制御して試料とヒットさせるために、シングルイオン検出系と高速ビームスイッチの組合せによるシングルイオンヒットシステムの開発を行っている。

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